• 香港新聞網-國劇最具影響力的新聞資訊網站

2010广州亚残运会官网-足球推荐、足球分析、足球赔率、足球比分直播、足球直播、竞彩足球

热门关键词:  as  xxx  请输入关键词  企业  湖州师范学院


您现在的位置:主页 > 教育 >

国家存储器基地项目在武汉开工

时间:2017-09-09 19:07 教育 作者: 广州2010亚运会(www.gzapg2010.cn)

本文标签项目  基地  开工  存储器  武汉东湖  


  新华社武汉1月2日电(记者李思远、陈俊)总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后,年产值将超过100亿美元,实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。

  此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

  据介绍,国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节为突破口,广州残运网,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,建成后,还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。

  存储器是信息系统的基础核心芯片,最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺,同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。

原标题: 原标题:国家存储器基地项目在武汉开工


本文地址: http://www.gzapg2010.cn/htm/chayin/2017/0909/14553.html_转载请保留_教育

分享到:
更多精彩热图
網站介紹  網站申明  商務合作  聯繫我們 百度更新  網站地圖
投稿專用:gdstar@163.com| 技術支持:港澳台新聞網
Copyright 2013-2014 香港新聞網 版權所有 本站申明:本站部分資料來源於網絡,如有侵權請聯繫zhan@bai.com,我們會在第一時間為您處理
香港新聞網,专注國際都市新闻报道!
港ICP备1999999号-1